超寬帶EMI濾波器在頻率低端采用LC反射式濾波原理，在頻率高端采用高性能吸波材料的吸收式濾波原理。濾波器設(shè)計(jì)過程中，先根據(jù)需求方提供的通帶截止頻率、阻帶插入損耗和額定電流以及漏電流的規(guī)定對濾波器的低頻端進(jìn)行計(jì)算機(jī)建模，這樣就可以得到所需電感和電容的數(shù)目以及相應(yīng)的元件值，進(jìn)而畫出相應(yīng)的電路圖。由于EMI濾波器只需滿足要求的截止頻率和插入損耗，沒有特別的頻率響應(yīng)限制，因而低頻端建模采用的是電路簡單并且元器件較少的切比雪夫?yàn)V波響應(yīng)，可減小濾波器的體積和重量。

     低頻端僅能解決100MHz以下的頻段，100MHz以上的頻段由于電路中導(dǎo)線的分布電感和電感線圈的分布電容等分布參數(shù)的影響導(dǎo)致LC濾波電路性能下降甚至完全失效。高頻端的處理方法是加工一段空心同軸線，在同軸線的內(nèi)外導(dǎo)體之間填充磁損耗和電損耗很高的吸波材料，將高頻干擾信號在傳播路徑中衰減掉。同軸線內(nèi)外導(dǎo)體之間填充的電介質(zhì)或磁介質(zhì)，如鐵氧體、導(dǎo)電碳黑等多為導(dǎo)體，會導(dǎo)致同軸線內(nèi)外導(dǎo)體短路，為此需要在內(nèi)外導(dǎo)體之間增加一層絕緣層。

     低頻端的LC濾波電路在100MHz以下的頻段具有較好的插入損耗性能，但是由于電路中的電感線圈和電容都是集總參數(shù)元件，當(dāng)工作頻率高到100MHz 時(shí)，電感線圈中的分布電容和電容器中的分布電感會變成占主導(dǎo)地位的參數(shù)，使這類濾波器的插入損耗性能明顯惡化。在高頻時(shí)，填充吸波材料的同軸線卻具有良好的插入損耗特性。若要求從低頻10kHz到微波波段40GHz都具有良好的EMI抑制性能，則需要將兩種濾波器串接使用，這樣就形成了頻率低端的反射式濾波和頻率高端的吸收式濾波的超寬帶EMI濾波器的設(shè)計(jì)思路。